|
%0 Conference Paper %A B. Parvais %A L. Peng %A L. Teugels %A E. Rosseel %A A. Vandooren %A J. Franco %A A. Walke %A V. Desphande %A F. M. Bufler %A N. Rassoul %A G. Hellings %A G. Jamieson %A F. Inoue %A G. Verbinnen %A E. Vecchio %A T. Zheng %A W. Vanherle %A A. Hikavyy %A B. T. Chan %A R. Ritzenthaler %A G. Besnard %A W. Schwarzenbach %A G. Gaudin %A I. Radu %A N. Waldron %A V. De Heyn %A D. Mocuta %A N. Collaert %T 3D sequential stacked planar devices on 300 mm wafers featuring replacement metal gate junction-less top devices processed at 525°C with improved reliability %B 38th IEEE Symposium on VLSI Technology, VLSI Technology 2018 %I Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc %8 Oct. 2018 %P 2
|
